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Si7997DP
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
100
80
60
40
20
V GS = 10 V thru 4 V
V GS = 3 V
20
16
12
8
4
T C = 25 °C
T C = 125 °C
0
0
T C = - 55 °C
0
1
2
3
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0.010
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Output Characteristics
8000
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
Transfer Characteristics
C iss
0.008
6000
V GS = 4.5 V
0.006
V GS = 10 V
4000
0.004
2000
0.002
0
0
C oss
C rss
0
20
40
60
80
100
0
5
10
15
20
25
30
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
10
1.5
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
I D = 20 A
1.4
I D = 20 A
V GS = 10 V
8
V DS = 7.5 V
1.3
6
4
V DS = 15 V
1.2
1.1
1.0
V GS = 4.5 V
V DS = 24 V
0.9
2
0.8
0
0.7
0
20
40
60
80
100
120
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
Document Number: 66719
S10-1826-Rev. A, 09-Aug-10
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
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